栅极双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT）是一种综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛的三端器件。它兼有MOSFET和电力晶体管的优点，即高输进阻抗，电压控制，驱动功率小，开关速度快，工作频率可达到10~40kHz（比电力三极管高），饱和压降低（比MOSFET 小得多，与电力三极管相当），电压、电流容量较大，安全工作区域宽。
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