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英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。
ADI公司专为汽车设计的电源产品覆盖汽车座舱电子和信息娱乐系统、车辆自动驾驶和安全、汽车LED驱动器以及电池管理和动力总成等电气化系统,确保其符合ASIL框架。不同的产品可以实现不同的功能,包括电压调节、直流转换等
高功率密度的高压母线转换器模块有力支持重载系留无人机持久续航。
英飞凌科技股份公司为了满足市场需求,在其 CoolSiC™ 功率模块产品组合中增加了两款新产品:FF2000UXTR33T2M1 和 FF2600UXTR33T2M1。
为了应对相应的挑战,英飞凌科技股份公司宣布其高压MOSFET器件适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中, GaN 能够提高功率密度和效率,因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
本文将简要介绍反激式电源中对初级钳位电路的需求,然后比较和对比无源钳位方案、互补有源钳位方案以及非互补有源钳位方案的使用,最后介绍一款支持非互补钳位方案且可实现超高功率密度反激电源设计的芯片组。
未来,智能快充将朝着体积小、高功率密度的方向发展。目前智能快充在PD电源技术、芯片研发和材料使用上已经取得了突破,随着后期行业生态圈的进一步完善、融合,其市场将迎来更大的空间!
近日,英飞凌推出了面向30 W-500 W功率级应用的CoolGaN™ IPS系列产品,并举行CoolGaNTM IPS 第三代化合物半导体新品发布媒体沟通会。
中国,2021年5月18日——意法半导体发布了MasterGaN的首个参考设计,展示了新款高集成度器件如何提高功率密度、能效,简化产品设计,缩短上市时间。