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罗姆的EcoSiC™ TRCDRIVE pack™ 模块以小型化、高功率密度及易量产等特点，革新了电动汽车逆变器技术，推动行业向更高性能和可靠性迈进。
2024年9月5日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）CYPAP212A1-14SXI和CYPAS212A1-32LQXQ的65W高功率密度电源方案。
全球散热及电源解决方案品牌酷冷至尊(上海)科技有限公司与全球功率系统半导体领导厂商英飞凌科技合作，结合双方在散热设计以及电源转换的专业与优势，推出X series旗舰级850W - 2000W高功率电源系列，以满足持续提升的高功率需求及在同样性能下的静音表现。
Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。
ADI公司专为汽车设计的电源产品覆盖汽车座舱电子和信息娱乐系统、车辆自动驾驶和安全、汽车LED驱动器以及电池管理和动力总成等电气化系统，确保其符合ASIL框架。不同的产品可以实现不同的功能，包括电压调节、直流转换等
高功率密度的高压母线转换器模块有力支持重载系留无人机持久续航。
英飞凌科技股份公司为了满足市场需求，在其 CoolSiC™ 功率模块产品组合中增加了两款新产品：FF2000UXTR33T2M1 和 FF2600UXTR33T2M1。
为了应对相应的挑战，英飞凌科技股份公司宣布其高压MOSFET器件适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
