3D晶体管,从技术上讲,应该是三个门晶体管。传统的二维门由较薄的三维硅鳍(fin)所取代,硅鳍由硅基垂直伸出。 什么是3D晶体管 门包围着硅鳍。硅鳍的三个面都由门包围控制,上面的顶部包围一个门,侧面各包围一个门,共包围三个门。在传统的二维晶体管中只有顶部一个门包围控制。英特尔对此作了十分简单的解释:“由于控制门的数量增加,晶体管处于‘开’状态时,通过的电流会尽可能多;处于‘关’状态时,电流会尽快转为零,由此导致能耗降至最低。而且晶体管在开与关两种状态之间迅速切换能够显著的提高电路性能。
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英特尔在代工领域的主要竞争对手包括台积电和从AMD分拆出来的GlobalFoundries,他们都为Nvidia和高通等企业生产ARM架构的芯片。台积电和GlobalFoundries从明年开始将分别使用16和14纳米芯片生产配备3D晶体管的芯片,但英特尔希望与之争夺业务,并将为Altera生产14纳米64位ARM芯片。
FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术,是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比,FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术,同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。虽然该技术具有巨大的优势,但也带来了一些新的设计挑战,它的成功,将需要大量的研发和整个半导体设计生态系统的深层次合作。
SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法半导体(ST)已开始面向28nm工艺SoC量产的完全耗尽型SOI(fullydepletedsilicononinsulator:FDSOI)技术。
为了完成Ivy Bridge处理器设计,英特尔创建了一种新架构,它使用了名为“Tri-gate”的3D晶体管技术。这种多维电子元件通过更紧密的设计加强处理器的热设计功耗指标。英特尔还将这种设计技术利用到了更加高效的14纳米制程工艺中。
FinFET是一种 3D晶体管技术,目前正初步获得芯片制造商的采用;大厂英特尔(Intel)则是将其3D晶体管技术称为“三闸(tri-gate)”,业界预计该公司将在今年底推出采用3D晶体管技术所生产的22nm芯片样品。
。英特尔 VS AMD就是热议多年的话题,然后又变成微软 VS 谷歌。现在最有趣的一对是英特尔 VS ARM。英特尔发布三栅极3D晶体管之后,关于该技术能否左右二者之间的战局业界已有很多评论文章。
台积电不准备部署据说是移动设备的福音的FinFET技术,至少14nm节点之前不会。这一策略与英特尔不同,英特尔最近发布了名为三栅极技术的FinFET器件的应用,使用该公司的1270工艺制程(即22nm工艺)。目前1270工艺准备下半年于英特尔亚利桑那州的F32工厂量产(参阅电子工程专辑报道:英特尔提前量产3D晶体管,进入22nm时代)。
英特尔公布重大技术,下一代处理器基于3D晶体管。
分析师们表示,上述计划或能帮助英特尔与竞争对手抗衡,之前,英特尔的芯片大多被高增长的智能手机市场拒之门外。
独特的等离子掺杂解决方案,针对22纳米及更小技术节点的逻辑和存储芯片;取代离子注入共形掺杂技术,用于复杂3D结构的制造;创新系统为应用材料公司打开新的市场