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7月16日，有消息称，美国半导体巨头英特尔正在考虑以300亿美元(合约1937亿人民币)的价格收购美国晶圆代工厂商格芯(GlobalFoundries)。在分析师看来，如果收购成功，将有助于拉动美国在晶圆半导体领域的整体进展，同时对台积电形成新的制衡。
继联电在2017年进行高阶主管大改组，并宣布未来经营策略将着重在成熟制程之后，格芯(GLOBALFOUNDRIES)也在新执行长Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布无限期暂缓7纳米制程研发，并将资源转而投入在相对成熟的制程服务上。
全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)日前通过其子公司Silicon Storage Technology(SST)宣布推出已通过认证、基于GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite®技术平台的、SST低掩膜次数的嵌入式SuperFlash®非易失性存储器(NVM)技术。
IBM周四表示，该公司已经打造出了超密计算机芯片的可工作版本，其计算能力约为当前最强芯片的四倍。公告称，这是由IBM牵头并投资了30亿美元的纽约州公私合作伙伴、GlobalFoundries、三星、以及设备供应商所共同实现的。
英特尔在代工领域的主要竞争对手包括台积电和从AMD分拆出来的GlobalFoundries，他们都为Nvidia和高通等企业生产ARM架构的芯片。台积电和GlobalFoundries从明年开始将分别使用16和14纳米芯片生产配备3D晶体管的芯片，但英特尔希望与之争夺业务，并将为Altera生产14纳米64位ARM芯片。
GLOBALFOUNDRIES与福州瑞芯微电子有限公司(以下简称“瑞芯”)今日共同宣布，瑞芯新一代基于GLOBALFOUNDRIES 28纳米高K金属栅(HKMG)工艺技术的移动处理器已进入量产阶段。RK3188与RK3168芯片基于ARM 多核Cortex-A9技术设计和优化，主要用于未来高性能、低成本且具有长时间续航能力的平板电脑(具体性能参数请参见文后附录)。
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 日前宣佈共同开发并合作生产40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製程的车用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片将在格罗方德不同的据点生产，初期于新加坡，后续则将转移到位于德国德
2013年5月2日，德国纽必堡/德累斯顿与新加坡讯——英飞凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器(MCU)的经验，进行相关技术的开发。GLOBALF
近期据英特尔高层在美国接受采访时放言，单独的芯片代工模式将会走向穷途末路，也就意味着随着芯片工艺的越来越复杂，AMD、高通等Fabless设计公司将不再采用诸如台积电、GlobalFoundries等Foundry(代工厂)的芯片。像英特尔这种从设计，到制造、封装测试以及投向消费市场一条龙全包的IDM企业受益之外，提供全套服务的规模芯片解密公司诸如龙芯电子科技、龙芯世纪、世纪芯等也将在这次变革中分
