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前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引脚封装中集成功率 PFET 与控制 NFET 的高侧负载开关。该 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的业界最宽泛电源电压支持，是分立式 FET 开关的最灵活替代产品。此外，该负载开关还支持可调压摆率控制，设计人员可在任何需要负载开关或电源排序的应用中使用该器件，其中包括笔记本电脑、平板电脑、液晶电视、全球定位系统 (GPS) 以及
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 10 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si5
意法半导体扩大采用第六代STripFET™技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。
Maxim推出过压保护控制器MAX16914/MAX16915，适用于汽车和工业系统等必须能够承受较高瞬态电压及故障状态的应用。这两款器件采用独特的架构，通过检测2个背靠背p沟道MOSFET的输入和输出电压，提供具有理想二极管特性的过压保护。这2个pFET在正向偏置时的压降远低于传统阻断二极管。发生电池反接故障时，这2个pFET关断，以阻止反向电流。MAX16914/MAX16915非常适合需要过
意法半导体（ST），全新30V功率晶体管，第六代STripFET™制造工艺，功率密度，最高水平 功率半导体业全球领先厂商意法半导体推出全新系列的30V表面贴装功率晶体管，导通电阻仅为2毫欧（最大值），新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。
意法半导体（ST）采用新STripFET™技术的功率MOSFET系列产品使DC-DC转换器实现更高频率和更低损耗
Linear电源通路控制器LTC4416和LTC4416-1用于驱动大型PFET
双路 36V 低损耗电源通路控制器驱动大型 PFET
