SiC-MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种新型的功率半导体器件，它采用了碳化硅（SiC）材料作为衬底，并在上面生长了一层薄薄的金属氧化物半导体（MOS）层。与传统的硅基 MOSFET 相比，它具有更高的开关速度、更低的导通电阻和更强的耐压能力，因此在电力电子领域有着广泛的应用前景。
有关“SiC-MOSFET”的最新话题，搜索4487 次
哔哥哔特商务网是电子制造业产业链信息交流的平台，分享和剖析电子制造业上下游新技术、新产品资讯；通过“走进企业”、“对话”、“拆解”、“市场解读”、“产业分析”“研讨会专栏”等栏目进行行业深度解读，及时提供线下专业研讨会、峰会论坛、线上会议、直播等行业活动资讯。
