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飞索(Spansion)预定于2013年7～9月，完成富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)微控制器(MCU)、模拟及混合信号部门购并，未来将加速整合该部门技术资源，以及自家的嵌入式电荷撷取(eCT)闪存技术，全力加速嵌入式闪存(eFlash)MCU研发，预计于2015年发布首款产品。
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 日前宣佈共同开发并合作生产40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製程的车用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片将在格罗方德不同的据点生产，初期于新加坡，后续则将转移到位于德国德
2013年5月2日，德国纽必堡/德累斯顿与新加坡讯——英飞凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器(MCU)的经验，进行相关技术的开发。GLOBALF
日前，英飞凌科技股份公司近日宣布推出首款面向芯片卡和安全应用的65纳米嵌入式闪存微控制器样品。这是英飞凌和台积电于2009年开始共同开发及生产65 纳米 eFlash MCU的结果。
上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）自主研发的“SONOS 0.13微米嵌入式闪存（eFlash）技术”荣获“2010年度国家金卡工程优秀成果金蚂蚁奖－优秀应用成果奖”，这是华虹NEC连续第三年获得这一殊荣。
上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今天宣布，公司基于0.13微米嵌入式闪存（eFlash）工艺平台，成功开发出面向高性能智能卡、信息安全及微处理器等应用的嵌入式EEPROM（电可擦可编程只读存储器）解决方案，充分展现了华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器（eNVM）技术上的领先地位和创新优势。
英飞凌科技与台积电(TSMC)日前共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米嵌入式闪存(eFlash)制造工艺。根据该项协议，英飞凌与台积电将携手开发65纳米工艺技术，用于生产符合汽车行业严格的质量要求及芯片卡和安全行业苛刻的安全要求的嵌入式闪存微控制器(MCU)。
Actel與联华电子合作制作65nm eFlash FPGA芯片 低功耗的FPGA芯片领导者Actel公司与全球领先的半导体晶圆代工厂联华电子 (UMC) 宣布，双方已合作进行Actel次世代以Flash为基础的FPGA (现场可编程门阵列) 芯片之生产。此FPGA芯片将采用联华电子65nm低漏电工艺与嵌入式 Flash (eFlash) 技术。而此芯片已于联华电子12吋晶圆厂成功产出。
