器件采用紧凑的6mm2封装；可输出最高达35A的连续输出电流；采用3V～16V的输入电压

宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 7 月 22 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款在一个PowerPAK®  MLF6x6封装内集成DrMOS解决方案的器件 --- SiC769，该器件同时提供了高压侧和低压侧的N沟道MOSFET，外加全功能的MOSFET驱动器IC。SiC769分别提供针对3.3V和5V控制器的两个型号，完全符合服务器和桌面计算机、图形卡、工作站、游戏控制台和其他高功率的CPU系统中电压稳压器的DrMOS规范。器件使操作频率可超过1MHz，从而降低多相VR拓扑的尺寸和成本。

SiC769采用3V～16V的输入电压，可输出最高达35A的连续输出电流。集成的功率MOSFET对0.8V～2.0V的输出电压进行了优化，标称输入电压为12V。SiC769还可以在5V输出下，为ASIC应用提供非常高的功率。

SiC769先进的栅极驱动IC接收来自VR控制器的一个PWM输入，把它转换成高压侧和低压侧MOSFET栅极驱动信号。PWM输入与所有的控制器兼容，尤其是支持带有三态PWM输出功能的控制器。驱动IC中的电路能够自动探测轻负载情况，然后自动启动系统中的跳频模式操作(SMOD)，该模式可提高轻负载条件下的效率。自适应的死区时间控制能够进一步地提高效率。保护功能包括UVLO、击穿保护，热报警功能可在结温过高时对系统发出报警信号。

SiC769中集成的驱动IC和功率MOSFET降低了功率损耗，减轻了与高频分立功率级相关的寄生阻抗的影响。SiC769还采用了先进的封装，与竞争技术相比，将封装中的功率损耗减少了30%。设计者可以对高频开关进行优化，改善瞬态响应，节约输出滤波器器件的成本，并实现在多相Vcore应用中最高的功率密度。这样可以节约PCB面积，为使用者的核心竞争技术提供更多的施展空间。

SiC769现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周。

VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。

创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。

Siliconix创建于1962年，在1998年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。