Vishay Siliconix推出采用热增强PowerPAK? SC-75封装的N沟道功率MOSFET
Vishay Siliconix推出采用热增强PowerPAK? SC-75封装的N沟道功率MOSFET，扩大TrenchFET?家族阵容
新产品的站位面积为1.6mm x 1.6mm，包括业界首款30V器件和业界导通电阻最低的器件
宾夕法尼亚、MALVERN — 2009 年 8 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用热增强PowerPAK? SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET?家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有业内最低导通电阻的20V MOSFET。
已经发布的Siliconix SiB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET，也采用PowerPAK SC-75占位的封装，30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入进一步壮大了该产品系列。SiB408DK在10V时的导通电阻只有40m?，SiB412DK在4.5V时的导通电阻低至34m?，比最接近的竞争器件低21%。
PowerPAK SC-75封装的尺寸为1.6mmx16.mmx0.8mm，比2mmx2mm的器件小72％，比广泛使用的TSOP-6器件小72%，同时具有近似的导通电阻。而对设计者来说，更小尺寸的PowerPAK SC-75能够在便携式电子产品中节省空间、降低功耗，从而在满足消费者对电池运行时间要求的前提下，提供更多的功能。
N沟道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型应用包括负载、功放和便携式电子产品中的电池开关。与常用的3mm x 3mm封装相比，该器件可节约在1/8砖或1/16砖电源模块中的所占空间。SiB408DK还可用做笔记本电脑和上网本中的负载开关。
这些器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通过了Rg和UIS测试。
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