Ramtron 1兆位串行F-RAM提升至满足汽车标准要求
2010-06-08 17:10:01
来源：隽科公关有限公司
低功率、高性能F-RAM器件达到AEC-Q100 Grade 3标准要求
世界顶尖的低功率铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation 宣布其1兆位 (Mb)、2.0V-3.6V 串行F-RAM存储器 FM25V10-G，业已通过AEC-Q100 Grade 3标准认证，这一严格的汽车等级认证，是汽车电子设备委员会 (Automotive Electronic Council) 针对集成电路而制定的应力测试认证。目前Ramtron公司符合AEC-Q100标准的存储器产品已增加至15种，这些产品都经专门设计以满足汽车市场的严苛要求。通过Grade-3认证确保器件能够在 -40℃ 到 +80℃ 的汽车使用温度范围内正常工作。
FM25V10-G是Ramtron公司V系列非易失性F-RAM存储器的成员，具有2.0V至3.6V 的宽工作电压范围。它是1兆位串行SPI器件，工作电流为3.0mA (40MHz下的Idd)，采用工业标准8脚SOIC封装。FM25V10-G在40MHz 全总线速率下工作，具有无延迟 (NoDelay) 写入功能、几乎无限的耐用性和低功耗等特点。该器件是汽车、工业控制、计量、医疗、军事、游戏以及计算等应用中，1兆位串行闪存和串行EEPROM 存储器的理想普适型 (drop-in) 替代产品。
Ramtron市场推广经理Mike Peters评论道：“这项认证表明我们这个密度最高的产品符合汽车等级标准。在V系列产品线中增加达到Grade 3标准的产品，使得我们能够在4kb至1Mb的整个密度范围内，为汽车客户提供高功效、高性能的非易失性存储器产品。”
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