CMOS跨越砷化镓雷池 进军PA
2011-01-21 09:34:29
来源：网络
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传统￥功率放大器（PA）均是以砷化镓（GaAs）制作为主，CMOS多难跨越雷池一步。然而目前CMOS制程终于堂而皇之跨入功率放大器的领域之中，并陆续有相关厂商发表最新产品。专为无线应用提供功率放大器技术的无晶圆半导体公司Black Sand也发表了最新的3G CMOS RF功率放大器产品线，预计将可大幅提高移动电话、平板电脑和数据卡的可靠性和资料传输率。两条产品线共包含六款涵盖多个频段的独特功率放大器。
Black Sand行销副总裁Jim Nohrden表示，移动装置制造商正在寻找一项可替代砷化镓功率放大器的技术，因该技术长久以来具有供应短缺和更高成本结构的问题。透过CMOS制程，BST34和BST35产品让客户能迅速获得其所需要的PA技术，以进行超高量能制造。
Jim Nohrden说，该公司拥有大于现有GaAs功率放大器供应商之结合的策略性供应基础，随着市场持续采用3G移动装置，这项优势将被证明是至关重要的，因为其PA数量是2G手机的2至3倍。我们的产品将为客户带来更高效能，并于2011年提供更可靠的供应来源。
Black Sand首款3G CMOS功率放大器产品中，BST34系列之功率放大器是专门设计来取代现有3G砷化镓（GaAs）RF功率放大器的简易方案，因此功能与脚位与其完全相容。从砷化镓转移至CMOS可使移动装置制造商获益于更可靠的供应链、更高可靠性及更低成本。
至于BST35系列则具备TruePower高效能功率检测器，可提高总辐射功率（TRP）效能达2dB，并可在实际工作环境中降低掉话率，及提高数据传输速率。BST3501是第一款将此功能带入RF前端的晶片。该元件的效能指标可在输出功率、线性度、效率和杂讯上达到、甚至超越砷化镓功率放大器IC。
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