安森美半导体推出多款新LDO线性稳压器，含超小XDFN封装器件
摘要： 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出3种新系列的宽输入电压、低压降(LDO)线性稳压器。公司广受欢迎的NCP58x系列也增加新器件，进一步增强了公司在此领域的强劲实力。
九款新器件为多种应用的设备设计人员提供宽广范围的稳压产品选择
2011年3月17日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出3种新系列的宽输入电压、低压降(LDO)线性稳压器。公司广受欢迎的NCP58x系列也增加新器件，进一步增强了公司在此领域的强劲实力。
这些互补金属氧化物半导体(CMOS)器件使用最新技术，提供降低能耗、增强噪声性能及宽范围小外形封装选择等优势，应用涵盖从娱乐系统到小型便携锂离子钮扣电池供电设备等宽广范围的终端产品。
这些新系列器件中的第一个系列是50毫安(mA)及150 mA的NCP4640和NCP4641产品。这些器件拥有4伏(V)到36 V的宽输入电压范围及50 V的最大输入电压容限。9微安(µA)的低静态电流帮助降低器件空闲状态时的能耗。这两款器件都采用SOT-89-5封装，并可根据要求提供SOIC-6-TL功率封装。
NCP4629是一款500 mA LDO线性稳压器，输入电压范围为4 V至24 V，最大输入电压容限为36 V。“启用”(Enable)引脚使NCP4629能置于省电待机模式，同时宽工作温度范围(40°C至105°C)使这器件成为大功率工业应用的极佳选择。这器件采用高热效率的DPAK-5封装。
在输入电压范围相对较低的产品方面，安森美半导体推出了能驱动超过300 mA电流的150 mA NCP4620和NCP4625。两款器件都有极佳的纹波抑制特性和低静态电流值。2.6 V至10 V的输入电压范围使它们非常适合应用于采用两节锂离子电池供电的产品。NCP4620和NCP4625提供SC-70-5和SOT-23-5封装选择。
NCP58x系列也增加了4款新产品。150 mA NCP4586提供3种封装选择，其中包括UDFN。150 mA NCP4587及300 mA NCP4589在低电流负载时切换到低功率模式，并在输出负载增加超过3 mA时自动切换回至快速对应模式。设计人员能够选择多种封装类型，其中之一便是高度仅为0.4 mm的超薄XDFN封装。这系列第4款新LDO线性稳压器是200 mA NCP4588，这也是安森美半导体NOCAP系列的一款新增产品。这器件提供稳定的工作，而不需要输出电容；这帮助减少设计的总元件数量，节省珍贵的印制电路板(PCB)占位面积，有利于构建适合恶劣环境的更强固方案。这器件也提供XDFN封装。
安森美半导体稳压业务部总监Mike Paquette说：“安森美半导体的LED稳压器系列大范围扩充新产品，彰显了我们在这个领域的专长及市场领先地位。我们尤为高兴地推出采用超小超薄XDFN封装类型的器件，帮助设计人员应对在更小设备壳体空间内增加功能数量的需求。”
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