6A N 沟道 MOSFET 栅极驱动器在 -55°C 至 125°C 的节温范围内工作
2011-04-06 13:56:10
来源：大比特半导体器件网
摘要： 凌力尔特公司推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 级) 版本，该器件是一款 6A N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，在 -55°C 至 125°C 的工作节温范围内工作。
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 级) 版本，该器件是一款 6A N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，在 -55°C 至 125°C 的工作节温范围内工作。该高功率驱动器设计用于增加 DC/DC 控制器的输出功率及效率，从而使其能够驱动高功率 N 沟道 MOSFET 或多个并联的 MOSFET。其栅极驱动电压从 5V 至 8V 是可调的，从而允许设计师选择标准门限或逻辑电平 MOSFET。 LTC4441 在 5V 至 25V 的宽输入电源电压范围内工作，为提高电信、工业系统和发动机控制应用中电源的输出功率能力提供了一种简化的解决方案。
LTC4441 包括一个可非常容易地调节的 5V 至 8V 内置线性稳压器，以提供其栅极驱动电压和 IC 电源。当用 7.5V 驱动电压驱动一个 4.7nF 电容时，传输延迟仅为 30ns。可调的前沿脉冲消隐能避免在检测功率 MOSFET 中的源极电流时产生振铃。LTC4441 有一个坚固的 TTL/CMOS 兼容输入，该输入能以低于地或高于驱动器电源的电压驱动。其他的保护功能包括欠压闭锁和过热电路，它们在启动时将停用驱动器输出。
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