天域半导体投1.8亿联合中科院研究碳化硅
2012-11-20 14:11:17
来源：大比特半导体器件网
摘要： 记者从东莞市天域半导体科技有限公司获悉，该公司投资碳化硅(SiC)材料这一高科技领域，连续砸进1.8亿元，正与中科院半导体研究所联合，进行“第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化”，是我国首家、全球第五家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)外延片生产、研发和销售的高科技企业。
记者从东莞市天域半导体科技有限公司获悉，该公司投资碳化硅(SiC)材料这一高科技领域，连续砸进1.8亿元，正与中科院半导体研究所联合，进行“第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化”，是我国首家、全球第五家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)外延片生产、研发和销售的高科技企业。
该公司董事长欧阳忠介绍说，2011年，天域半导体以中科院院士王占国为带头人、孙国胜研究员为骨干的科研团队顺利通过评审，成为广东省引进的第二批创新科研团队，获得省财政3000万元立项资助以及市政府1500万元的配套资助。这个团队共有七名成员，一名院士，三名研究员，一名副研究员和两名助理研究员，均为博士研究生。经过团队的研发，目前公司已实现年产超2万片3英寸、4英寸碳化硅外延晶片的产业化能力。
目前碳化硅外延晶片的下游客户主要是在国外，天域半导体公司的产品也将主要销往国外市场。随着产品大量量产和销售渠道建立后，国内市场也将使用上中国企业自己产的碳化硅材料。
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