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天域半导体投1.8亿联合中科院研究碳化硅

2012-11-20 14:11:17 来源:大比特半导体器件网

摘要:  记者从东莞市天域半导体科技有限公司获悉,该公司投资碳化硅(SiC)材料这一高科技领域,连续砸进1.8亿元,正与中科院半导体研究所联合,进行“第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化”,是我国首家、全球第五家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)外延片生产、研发和销售的高科技企业。

关键字:  天域半导体,  碳化硅,  中科院,  外延晶片

记者从东莞市天域半导体科技有限公司获悉,该公司投资碳化硅(SiC)材料这一高科技领域,连续砸进1.8亿元,正与中科院半导体研究所联合,进行“第三代半导体碳化硅外延晶片研发及产业化”,是我国首家、全球第五家专业从事第三代半导体碳化硅(SiC)外延片生产、研发和销售的高科技企业。

该公司董事长欧阳忠介绍说,2011年,天域半导体以中科院院士王占国为带头人、孙国胜研究员为骨干的科研团队顺利通过评审,成为广东省引进的第二批创新科研团队,获得省财政3000万元立项资助以及市政府1500万元的配套资助。这个团队共有七名成员,一名院士,三名研究员,一名副研究员和两名助理研究员,均为博士研究生。经过团队的研发,目前公司已实现年产超2万片3英寸、4英寸碳化硅外延晶片的产业化能力。

目前碳化硅外延晶片的下游客户主要是在国外,天域半导体公司的产品也将主要销往国外市场。随着产品大量量产和销售渠道建立后,国内市场也将使用上中国企业自己产的碳化硅材料。

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