5月22日，意法半导体、英特尔和Francisco Partners，宣布合资创立一家新的独立半导体公司事宜，三方已经达成最终协议，组成新公司的原主营业务部门去年创造年收入共计约36亿美元。新公司的战略重点将专注于提供闪存解决方案，涵盖手机、MP3播放器、数码相机、计算机和其它高科技设备等各种消费电子产品和工业设备。
      通过整合英特尔和意法半导体的研发、制造和市场营销等主要资产， 新公司将是一个精简、高效的跨国企业机构，大规模制造低成本的创新的非易失性存储器解决方案。凭借意法半导体和英特尔在非易失性存储器技术领域40余年的研发经验，以及下一代相变存储器的专业技术，新公司必将更好地为客户提供完整的存储器解决方案，加速公司向未来非易失性存储器技术的演进。
      “新公司将只专注于非易失性存储器业务，并具备提供现有和新一代非易失性存储器技术所需的全部条件，意法半导体正在重新定位自己在闪存市场上的角色。”意法半导体公司总裁兼首席执行官Carlo Bozotti评论道。Bozotti先生被任命为新公司的非执行董事长。
      “在这个竞争激烈的市场上，客户需要最先进的产品，新公司具备满足这些需求所需的人才、规模和先进技术，”英特尔总裁兼首席执行官Paul Otellini表示。
      “从创立之初，新公司必将会成为一个世界领先的无线通信闪存解决方案供应商。”现任英特尔公司副总裁兼闪存产品部总经理Brian Harrison表示 ，“我们将能够为客户提供完整的NOR和NAND闪存技术解决方案，我们相信这些产品将会为市场的成长创造大量的机会，为厂商在新的应用领域和区域开发产品提供可能。”合并案结束后，Brian Harrison先生将被任命为新公司首席执行官。
      根据本协议的规定，意法半导体将向新公司出售闪存业务的资产，包括其NAND合资公司以及其它NOR业务资源；同时英特尔将向新公司出售其NOR资产及资源。作为交换，英特尔将获得45.1%的股份和近4.32亿美元的出资额。意法半导体将获得48.6%的股份和约4.68亿美元的出资额。而总部位于加州Menlo Park的私人股权投资公司Francisco Partners将出资1.5亿美元现金购买可转换优先股，这个数字相当于6.3%的股权（在某些情况下可能会调整）。因此，新公司获得了相应的公司承诺事项，即13亿美元的定期贷款和2.5亿美元的循环贷款。定期贷款将由一个银团组织承诺执行。定期贷款的收益将用作新公司的营运资本，并偿付英特尔和意法半导体公司的出资额。此项交易须经过政府监管部门的批准，并符合特别成交条件，预计2007年下半年完成交易。
“新公司成立之后，能够立即提供产品系列非常丰富的非易失性存储器解决方案，从而满足来自不同领域的通信和工业应用客户的需要。”Francisco Partners 的创建人和任事股东Dipanjan Deb评论道。
      新公司的CEO将由Brian Harrison担任，负责意法半导体公司闪存产品业务的现任公司副总裁Mario Licciardello 将出任首席运营官一职。新公司总部设在瑞士，在荷兰注册成立，全球建有9个主要的研发和制造业务机构，员工人数近 8，000人。该公司还拥有一支全球性的销售团队。
      目前信息内容的移动性越来越高，基本上都完全实现了数字化，数量不断增加的信息内容提高了市场对存储器的需求。凭借英特尔和意法半导体公司的资产和资源，这些资源包括由近2500项已获得的专利和1000项申请中的专利组成的丰富的专利技术组合，新公司将能够从这一日益提高的市场需求中受益。与此同时，相变存储器代表了一个重要的技术能力，意法半导体和英特尔的相变存储器研发项目有很多相似之处，这两个项目合并将有助于新公司快速、高效地向潜在客户提供先进的闪存技术。
Francisco Partners
www.franciscopartners.com
      Francisco Partners 是一家世界知名的私人股权投资公司，致力于高科技及高科技型服务业务的投资。Francisco Partners拥有近50亿美元的承诺资金，主要从事高科技公司的架构投资，投资目标针对私人公司、上市公司以及上市公司的业务部门， 交易金额从3000万美元到30亿美元不等。

附件：闪存
前言
      闪存是手机、数码相机、数字电视和机顶盒或发动机控制模块等数字应用中一种十分常见的半导体存储器，这类芯片需具备系统级编程功能和断电数据保存功能。闪存兼备高存储密度和电可擦除性两种特点。
      因为低功耗和非易失性，闪存技术在便携应用的发展中起了主导作用，同时，随着每数据位成本逐渐降低，完整数据存储解决方案开始从硬盘驱动器（HDD）向固态存储器转化。
      闪存分为两大类型：NOR闪存和NAND闪存。NOR闪存架构的特性是数据读取速度很快，是手机等电子设备中代码存储和直接执行应用的最佳选择，而存储密度和编程速度更高的NAND闪存则是高密度存储应用的首选存储器。

ST闪存业务的市场地位
      意法半导体是世界上最大的非易失性存储器供应商之一，该市场包括NOR和NAND闪存。ST在NOR闪存领域的市场份额为16.3%，排名第三1；在串行闪存（带串行总线的闪存）领域的市场份额为31%，排名第一2。作为全球最大的值得信赖的先进存储器解决方案供应商之一，意法半导体为客户提供最先进的技术产品，从而推动他们开发出高效、安全的无线通信及嵌入式系统应用。 
      ST获得闪存领域的领先市场地位是得益于：大幅度提高闪存的产能，世界领先的技术，以先进、创新、差异化的产品组合全面覆盖目标应用领域，与移动通信、数字消费、PC机、硬盘、汽车、工业等主要闪存消费应用市场上的10家主导公司签订了长期合作协议。ST能够对不断变化的市场做出快速反应，并超出市场的平均增长水平。

ST的闪存市场战略
      闪存制造商同时承受着两种压力：提高性能（速度、密度、功耗），降低成本。为实现这两个目标，ST采用的是制造工艺和产品系统双管齐下、相互补充的战略。
提高工艺水平
      第一种方法是通过半导体工业的国际半导体技术开发计划ITRS（0.25μm， 0.18μm， 0.13μm， 90nm， 65nm ...） 定义的技术节点，不断缩减制造工艺技术的几何尺寸。作为非易失性存储器技术研发领域的排头兵，ST长期以来不懈地推动着制造工艺的改进，目前65nm技术的NOR闪存已进入量产阶段，投入量产的还有60nm和55nm的NAND闪存芯片，下一代48 nm闪存目前正在开发阶段。除此之外，ST还在开发创新的90nm相变存储器的原型。 
1资料来源 : iSuppli， 2007年4月
2 资料来源 : Web-Feet， 2007年4月
      ST还采用了新的存储器结构，如多位单元闪存。我们的战略是，在今后几年，通过扩大多位单元结构，继续提高闪存的密度。
系统解决方案
      第二种方法是开发一种使所有应用都能更好地利用现有的量产技术的产品组合。这种方法需要尖端的存储结构及架构（如多位单元闪存），以及技术先进的专用闪存；在一个微型封装内叠装多个存储器芯片（多片封装）或把存储器与处理器封装在一起（系统级封装），提供系统芯片的高性能组装技术；生产种类最齐全的工业标准产品。
多片封装 (MCP)和系统封装  
      在一个非常小的多片封装内，ST开发出的存储器子系统整合了一个或更多的闪存芯片、一个低功耗的RAM（随机存取存储器）和相关的硬件。这些产品为第三代手机提供了一个完美的存储解决方案，新应用是第三代移动设备的亮点，包括高速上网、语音邮件、蓝牙通信、数据保存等，外形紧凑和耗电量低是这些设备的基本要求。
叠层封装
      ST在叠层封装(PoP)技术开发方面居世界领先水平。叠层封装是半导体工业内最新的创新技术，该技术能够把分立的逻辑器件与存储器封装纵向堆叠在一起。两个封装上下堆叠在一起，通过一个标准接口传送信号。在节省电路板空间、降低布局复杂性、简化系统设计、减少引脚数量等满足移动应用的小型化需求方面，叠层封装的优势比多片封装更强一些。
先进架构闪存
      先进架构闪存具有以下特性：并行接口、存储密度高、编程或读取操作时间短、工作电压低、安全性高。这个战略要求存储器厂商必须与推动市场增长的主要OEM厂商合作。对比其它闪存供应商，合作开发是ST的优势所在，因为ST与通信、消费、计算机及外设和汽车市场的主要厂商建立了战略合作伙伴关系。
      为了满足手机市场的需求，ST设计出了微型节能的NOR式先进架构闪存解决方案，新产品存储密度高达512 Mbits (或1Gbit，多片封装)，并增加了多种功能，如异步和同步读取模式，以及提高软件灵活性和处理速度的双或多存储库架构。为了配合NOR闪存产品，ST还推出了密度高达4 Gbits的数据存储用NAND闪存。

嵌入式系统用NOR闪存
      作为NOR闪存市场的领导者和技术领先者，ST的NOR闪存产品种类十分丰富，从工业标准闪存到先进架构闪存，应有尽有，能够很好地适应不同市场的需求，包括汽车、消费电子和计算机外设。ST的NOR闪存内建串行或并行总线接口，以适应任何嵌入式应用的需求。

消费电子产品用NOR闪存
      消费应用如机顶盒(STB)、DVD、数字电视、数码相机和PDA支持的应用程序变得日益复杂，同时处理的数据流的速度越来越快（例如，STB的MPEG文件）。ST针对消费电子市场的需求优化了闪存架构，其数据存储和代码执行用闪存均具有高密度、快速读取、成本低廉、安全性强的特点。

汽车电子用NOR闪存
      ST按照汽车客户需求的发展趋势，针对快速增长的汽车市场，调整了公司产品组合，不同的应用产品之间都有很大的变化。ST先进架构闪存内建32位数据总线和脉冲串读取模式，满足了今天汽车娱乐信息系统对高性能、高密度闪存的需求。在汽车级产品方面，ST专注于卓越的质量（先进制造测试筛选）和一流的服务（交货和支持）。

BIOS（基本输入输出系统）存储用闪存
      针对台式机、服务器、笔记本电脑的系统及视频BIOS存储的特殊需求，ST开发出一系列专用的先进架构NOR闪存。.

代码存储用串行NOR闪存
      对于有高性能、低功耗和节省空间需求的应用设备，数据保留期限长、耗电量低的串行NOR闪存是其存储和执行代码的理想解决方案。ST的串行闪存应用十分广泛，例如，计算机外设（硬盘、显卡、一体式打印机、光驱）、汽车（汽车收音机、GPS导航系统）、通信（网卡、ADSL调制解调器）、消费电子产品（MP3播放器、录音笔、DVD影碟机）。
数据及参数存储用串行NOR闪存
      ST数据及参数存储闪存给要求数据参数传输速度快的应用领域带来了更高的价值，具体应用包括数字应答机、DECT电话、无绳电话、寻呼机、数码相机、家庭游戏机、玩具、便携扫描仪、传真机、手机、录音笔、打印机、PDA、MP3播放器/录音笔、GPS系统、测量系统、数据流。

移动终端用NOR闪存
      我们可以通过手机市场预测闪存市场增长幅度。手机正在从单一语音功能的基本终端向多媒体终端快速发展，新一代手机支持复杂的应用、实时通信服务，能够处理快速的多媒体数据流。今天的多媒体手机需要高带宽的存储器，存储代码需要密度达到1Gbit的闪存，存储数据需要密度达到4 Gbits。通过利用多位单元等最新的存储器架构，提高存储器的密度，使之同时还适合数据存储，ST的手机用NOR闪存达到了性能最大化，同时成本、功耗和封装尺寸最小化的特殊要求。
      与NOR闪存相比，NAND闪存的存储密度更高(高达8 Gbits)，擦除时间更短、但随机存取时间稍长。虽然直接执行代码的效率不高，但是NAND闪存更适合在数字消费应用中存储海量数据。除其它非易失性存储器外，NAND闪存在嵌入式应用和无线通信系统中日益普及，主要功能是存储大量的参数或多媒体文体，例如，音乐和数字影像。 
      因为是小页或大页存储结构，NAND闪存架构十分适合海量存储广泛使用的数据格式。此外，NAND闪存配有多路复用数据/地址总线，这种配置可以减少器件的引脚数量，在同一个封装内提高存储密度。

结论
      闪存是存储器行业内增长势头最强的产品，为多种现有的和新兴的应用提供灵活的代码、数据、代码到数据、代码到参数的存储解决方案。ST是世界一流的值得信任的闪存供应商，拥有市场上种类最齐全的闪存产品，包括工业标准闪存、安全先进架构闪存、闪存子系统，能够满足几乎所有嵌入式或无线应用的特殊需求。

补充说明
历史回顾
      作为EPROM（可擦除可编程只读存储器）和EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）两种存储器的折衷，闪存是20世纪80年代问世的。像EEPROM存储器一样，闪存支持电擦除数据；保存新数据闪存无需擦除整个存储阵列。像EPROM存储器一样，闪存阵列的架构是每单元一个晶体管结构，使芯片厂商能够制造出成本效益和存储密度更高的存储器。
      首先，闪存受益于PC机市场的飞速增长。在PC时代刚刚开始时，易失性存储器DRAM (动态随机存取存储器)和SRAM (静态随机存取存储器) 虽然固有数据易失性的缺点，但仍然是两个最重要的存储器。随着设计和工艺技术的进步提高了闪存技术的密度和可用性，作为对现有的SRAM和DRAM子系统的一种补充，闪存断电保留数据和高速度读取的性能加快了其在市场上的推广应用。
因为功耗低和非易失性的优点，闪存被证明是最适合便携应用发展的非易失性存储器，因此加快了移动时代的到来。最早出现的闪存是以代码执行为主要应用的NOR闪存。此后又出现了另外一种叫做NAND的闪存，随着闪存的每位成本降低，完整的存储解决方案开始从硬盘（HDD）开始向固态存储器转换，从而推动了今天的移动多媒体应用的发展。

技术说明:
      闪存、EPROM和EEPROM器件保存数据都使用相同的基本浮栅机制，但是读写数据时却采用不同的方法。无论是哪一种情况，基本存储单元都是由一个双栅MOS晶体管(MOSFET)组成：控制栅连接读写电路，浮栅位于控制栅和MOSFET的沟道 (在MOSFET上电子从源极流到漏极经过的通道)之间。
      在一个标准MOSFET内，控制沟道的电阻只使用一个栅极控制电流：通过在栅极上施加电压，可以控制从源极流到漏极的电流的大小。非易失性存储器中的MOSFET还有第二个栅极，一个二氧化硅绝缘层将这个栅极完全包围起来，即第二个栅极与晶体管的其余部分保持绝缘状态。因为浮栅到MOSFET沟道的距离非常近，所以，电荷即使很小，对晶体管的电特性的作用也很容易检测到。通过给控制栅施加适当的信号，并测量晶体管特性的变化，可以确定浮栅上是否存在电荷。因为浮栅与其余晶体管其余部分是绝缘的，所以把电子移入/移出浮栅需要特殊的方法。
      其中一种方法是通过在MOSFET的源漏极之间产生较大的电流，使MOSFET沟道充满大量的高能电子。在这些?热?电子中，有些电子的能量十分高，足以跨过沟道之间的势垒进入浮栅。当源漏极之间的大电流消失时，这些电子仍然陷在浮栅内。这就是给EPROM和闪存的存储单元编程所采用的方法。这种技术叫做沟道热电子(CHE)注射，通过这种技术，可以给浮栅加载电荷，但是不能释放电荷。EPROM是采用给整个存储阵列覆盖紫外线的方法给浮栅放电，高能量紫外线穿透芯片结构，把能量传给被捕获的电子，使他们能够从浮栅内逃逸出来。这是一种简单而有效的擦除方法，同时证明过擦除，即在浮栅放电结束后继续给芯片通紫外线，不会损坏芯片。
      第二种将电荷移入浮栅内的方法是利用叫做隧穿的量子力学效应：通过在MOSFET控制栅与源极或漏极之间施加足以使电子隧穿氧化硅绝缘层进入源极的电压，从浮栅中取出电子。在一定时间内隧穿氧化硅绝缘层的电子数量取决于氧化层的厚度和所通电压的大小。为满足实际电压值和擦除时间的限制条件，绝缘层必须非常薄，通常厚度为7nm (70 Angstroms)。
      EEPROM存储器采用量子隧穿技术，根据所通电压的极性给浮栅充电和放电。因此，我们可以把闪存视为一个像EPROM一样编程、像EEPROM一样擦除的存储器，不过，闪存技术并不是把EEPROM擦除机制移植到EPROM上那么简单。
      隔离浮栅与源极的氧化层的厚度是EPROM与其它两个工艺之间最大的差别。在一个EPROM内，绝缘层厚度通常为 20-25nm，但是这个绝缘层太厚了，利用一个实际电压，以可接受的速率，是无法隧穿这个绝缘层的。闪存器件要求隧穿氧化层厚度大约10nm，氧化层的质量对闪存的性能和可靠性影响很大。这是只有很少的半导体厂商掌握闪存技术原因之一，能够整合闪存技术与主流的CMOS工艺，制造内置闪存的微控制器的产品的厂商就更少了。
 多位单元技术
传统上，浮栅机制用于存储一个单一的数据位，这种数据需通过对比MOSFET阈压和参考电压来读取。但是，有了更加先进的读写技术，可以区分两个以上的浮栅电荷状态，因此可以在一个浮栅上存储两个以上的数据位。这是一个重大的技术突破，对于给定的单元尺寸，每个单元存储两个数据位相当于把存储容量提高了一倍。ST世界上仅有的几家能够提供多位单元架构的闪存芯片厂商之一。

NAND与 NOR对比
      虽然所有闪存都使用相同的基本存储单元，但是，在整个存储阵列内，有多种方法将存储单元连接在一起。NOR和NAND是其中两个最重要的架构，这两个术语来自传统的组合逻辑电路，指示了存储阵列的拓扑，以及读写每个单元的存取方式。最初，这两个在原理上存在差别的架构之间有一个基本区别，读取速度快是NOR器件的固有特性，而存储密度高是NAND闪存的特长（因为NAND单元比NOR单元小大约40％）。ST是按照存储密度给这两个架构定位：:对于1 Gbit 以及以上的应用，NAND闪存目前被认为是最具成本效益的解决方案。对于存储密度1 Gbit以下的应用，还要根据应用需求考虑以下的参数，包括伴随RAM的存储容量和编程和读取速度。