Vishay 推出最大结温高达 +175°C 的业界首款第 5 代高性能 45V 肖特基二极管
2008-07-11 15:52:41
来源：半导体器件应用网
基于亚微米沟槽技术的新器件具有 60A 时低于 0.50V 至 30A 时低于 0.54V 的超低典型正向压降，以及 +125°C 时 2mA 至 5mA 的超低反向漏电流
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布推出最大结温高达 +175°C 的业界首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与 60CPT045 器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。
日前推出的这两款肖特基二极管在 +125°C 时具有超低的最大正向压降，对于 2 x 30A 60CPT045，30A 时典型正向压降低于 0.50V，对于 2 x 15A 30CTT045，15A 时典型正向压降低于 0.50V。这两款器件在 +125°C 时均具有超低的反向漏电流，分别为 5mA 及 2mA，并且参数分布非常紧凑。这两款器件均提供了优化的 VF 与 IR 权衡，可实现更高的系统效率。
30CTT045 与 60CPT045 均为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、D 级放大器，以及直流到直流模块应用进行了优化。应用所涉及的典型终端产品包括高功率密度 SMPS；台式电脑适配器；服务器、汽车驱动器与控制装置；消费类电子产品，例如 PDP、LCD 及高效的音频系统；移动电子产品，例如笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器。
对于设计人员，这些新型器件采用符合 RoHS 的小型封装，可改善成本功耗比，并且具有 RBSOA，可实现紧凑的低成本设计。30CTT045 采用 TO-220 封装，而 60CPT045 采用 TO-247 封装。
稳定的高击穿电压（一般高于 57V）可适应电压峰值并优化功率密度，在这些二极管中，功率密度增加了 25%。这两款器件坚固耐用，其抗反向雪崩能力提高了 40%，雪崩时部件可得到完全屏蔽，且开关损耗极小。
目前，新型 30CTT045 与 60CPT045 的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 6～8 周。
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