新型半导体器件可在纳米水平生成离子层
2006-09-14 13:41:38
来源：半导体器件应用网
加拿大多伦多大学电气与计算机工程系开发出一种比现今常规芯片表现更佳的新型半导体器件。据研究小组负责人特德·沙尔金教授介绍，该半导体器件的开发成功，首次使所谓的“湿”式半导体的性能超过了传统的成本较高的晶体生长的半导体器件。7月13日出版的《自然》杂志对该项发现进行了报道。
传统制造计算机芯片、光纤激光器、数字相机成像感应器的方法既费时，又耗能且成本还高，因为它们都要依赖在原子水平上生长晶体，这需要1000摄氏度以上的温度环境。
而多伦多大学的研究人员在一个装有超纯油酸（橄榄油的主要成分）的烧瓶内加热半导体离子，这种离子的直径仅有几个纳米。然后研究人员将溶液放在一个带有金电极的玻璃片上，使用一种旋转喷涂工艺使溶液滴扩展成平滑、连续的半导体薄膜。待溶液蒸发后，就留下了800纳米厚的光敏感纳米离子层。
沙尔金教授介绍，在室温下这种喷涂形成的光电探测器对红外光的敏感度比现有的军用夜视仪和生物医学成像装置高10倍，是一种特别敏感的光传感器。现在证明溶液工艺电子学能够将低成本和高性能结合在一起。
麻省理工学院的约翰·琼那珀拉斯教授认为，多伦多大学的研究工作对基础研究和工业化生产都非常重要，能够实际制造出可用于短波红外探测器和发射器的低成本、可喷涂、高性能的半导体器件，对通信、成像和监视技术的发展具有非常重要的意义。
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