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美国加利福尼亚州圣何塞，2024年5月7日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今天宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies(OTCQB场外交易代码：ODII)的资产。
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。
Teledyne科学与成像公司和力科今天宣布，瑞典查尔姆斯理工大学微波电子实验室的研究人员在D-band无线通信方面已经达到了破纪录的信号传输速率。实验使用查尔姆斯理工大学开发的发送/接收芯片组，Teledyne公司高性能磷化铟(InP)为基础的双异质结双极晶体管技术和力科LabMaster 10Zi数字示波器，达到了......
EE Times精选了13位对半导体技术发展有重要影响的人物，正是他们的工作推动了半导体技术的发展，使得晶体管技术在面世50年的时间里甚至超越了其发明者所设下的界限。现在，半导体已经同其它学科相互融合，而电子器件也有望和人类不断创新的精神一起成为人体的重要组成部分。
变频器是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置，能实现对交流异步电机的软起动、变频调速、提高运转精度、改变功率因数、过流/过压/过载保护等功能。变频器集成了高压大功率晶体管技术和电子控制技术，得到广泛应用。
在Synopsys 的协助下，台湾联电(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶体管技术的测试用芯片日前完成了流片。联电公司早前曾宣布明年下半年有意启动14nm 制程FinFET产品的制造，而这次这款测试芯片完成流片设计则显然向实现这一目标又迈进了一步，当然流片完成之后还需要对过程工艺等等项目进行完善和改进，还有大量工作要做。
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布利用英特尔公司(INTC)业界领先的onshore代工技术和使用英特尔革新性22 nm 3-D Tri-Gate晶体管技术，开发先进的高性能数字集成电路(IC)和系统级芯片(SoC)解决方案。
Achronix Semiconductor公司宣布将其业界领先的22nm Speedster22i HD1000系列FPGA发运给客户，实现了又一个重大里程碑。22nm Speedster22i HD1000是Speedster22i FPGA产品家族的首个成员。该器件采用英特尔领先的22nm 3D Tri-Gate晶体管技术，其功耗是竞争对手同类器件的一半。
日前，北京——Altera公司和Intel公司今天宣布，双方已经达成协议，未来将采用Intel的14 nm三栅极晶体管技术制造Altera FPGA。这些下一代产品主要面向军事、固网通信、云网络以及计算和存储应用等超高性能系统，将突破目前其他技术无法解决的性能和功效瓶颈问题。
