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Power Integrations发布新款HiperLCS™-2芯片组，实现输出功率翻倍；英飞凌带来首款P沟道器件，扩展耐辐射功率 MOSFET 产品组合；瑞能半导体上新WeenPACK-B系列，覆盖100kW场景。
Microchip推出集成SiP/SoC的SAMA7D65系列微处理器;英飞凌带来采用新型硅封装的CoolGaN™ G3晶体管;辰达半导体发布40V N 沟道增强型MOSFET：MDD210N40P。
本周，英飞凌、瑞萨电子、极海半导体以及先楫半导体等多家国内外半导体厂商发布新品，涵盖IGBT、100V N沟道MOSFET以及实时控制MCU等多款产品。
全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。
德国elmos公司日前宣布推出一款适用于直流无刷电机(BLDC)控制的单芯片方案E523.52。该芯片的最大输入电压为72V，集成了一个16bit的微控制器，为马达控制特别设计的硬件外设，多路电源发生器，MOSFET预驱动模块以及运算放大器。在使用N沟道MOSFET的情况下，E523.52最大可驱动1000W左右的直流无刷电机。
飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET，在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。与竞争对手的器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数(FOM)，比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。
前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
LTC4225、LTC4227 和 LTC4228 通过控制外部N沟道MOSFET，为两个电源轨实现了理想二极管和热插拔功能。这些器件提供快速反向断开、平滑电源切换、有源电流限制以及状态和故障报告功能。
介绍新的650V场截止沟道IGBT并评估了其性能。新的IGBT比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，新场截止沟道IGBT可实现高效和可靠的逆变器系统。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 7 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MO
