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4月24日，基本半导体车规级碳化硅芯片产线正式通线，其主要产品为6英寸碳化硅MOSFET晶圆等，产线达产后每年可保障约50万辆新能源汽车的相关芯片需求。
新的SiC MOSFET模块是安森美半导体电动车充电生态系统的一部分，被设计为与NCD5700x器件等驱动器方案一起使用。
本文主要介绍了晶圆，据上海临港官微的报道，在今年的10月16日，我国首片6英寸碳化硅MOSFET晶圆在上海临港正式发布，主要适用于电动汽车，光伏发电等新能源产业。
意法半导体的碳化硅MOSFET技术，不但每单位面积的导通电阻非常之低，切换效能绝佳，而且跟传统的硅基续流二极体(FWD)相比，内接二极体关闭时的反向恢复能量仍在可忽略范围内。
碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。
日本半导体制造商 ROHM 已正式将适用于工业装置、太阳能发电功率调节器等变流器/转换器的碳化硅MOSFET 模组(额定规格1200V/ 180A)投入量产。
科锐公司日前宣布推出支持业界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面认证的SPICE模型。新型SPICE模型能够帮助电路设计人员轻松地进行效益评估。与同级别的传统硅功率开关器件相比，科锐碳化硅Z-FET™ MOSFET功率器件能够实现更高的效率。
科锐SPICE模型帮助电力电子设计工程师量化仿真在电路系统设计中 碳化硅MOSFET所带来的效益碳化硅(SiC)功率器件的市场领先者科锐公司日前宣布推出支持业界首款用于碳化硅MOSFET功率器件且符合全面认证的SPICE模型。
功率模组通常将MOSFET和二极管等一系列分立功率开关器件封装在一个独立的集成封装内，可应用于三相工业电源、通讯电源系统以及太阳能和风能系统中功率逆变器等高压电力电子应用领域。在传统MOSFET封装技术中，长引线中的寄生电感会限制碳化硅MOSFET的转换性能。通过使用科锐替代型裸芯片，电路设计人员能够充分利用碳化硅技术转换性能的优势，有效地降低封装中寄生电感的影响。
