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Power Integrations正式发布其新一代2200V PowiGaN™技术，这是其继750V、900V、1250V和1700V之后，再次将GaN器件耐压等级向上推进。
全新2200V PowiGaN™技术，可帮助AI数据中心、电动汽车、光伏及高压直流基础设施实现更高功率密度与系统运行效率，同时助力搭建安全性更高、结构更精简的电力系统方案。
极海正式发布200V 三相双N沟道电机栅极驱动器——GHD3450，内置自举二极管，助力小型化电机驱动系统设计。
极海针对用户系统设计的多样化需求，推出GHD144xT系列电机栅极驱动器，这款200V单相中压高速栅极驱动 IC，专为桥式电路中驱动双N型沟道VDMOS功率管或IGBT而设计，以高集成度、高可靠性、高灵活性三大特质，为电机驱动、DC-DC转换等应用场景提供更优的解决方案。
该公司正在与英伟达(NVIDIA)合作开发800VDC供电架构；新发布的白皮书剖析了1250V PowiGaN技术相较于650V GaN和1200V SiC的优势
英飞凌发布新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A栅极驱动器IC；PI推出集成离线式开关IC TinySwitch™-5；安森美推出基于1200V SiC MOSFET的SPM 31 IPM系列。
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管。
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美最新发布第7代1200V QDual3绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1）。
近日，英飞凌宣布与上能电气股份有限公司达成合作，为上能电气提供业界领先的1200V EconoDUAL™ 3功率模块，用于2MW集中式储能应用。
