FD-SOI，即全耗尽型绝缘体上硅，是一种独特的半导体工艺技术，专为混合信号应用而设计。其结构上的优势使晶体管的静电特性优于传统体硅技术，主要体现在埋氧层可以降低源极和漏极之间的寄生电容，有效抑制电子从源极流向漏极，从而大幅降低导致性能下降的漏电流。 FD-SOI还具有许多其他方面的独特优点，如具有背面偏置能力、极好的晶体管匹配特性、可使用接近阈值的低电源电压、对辐射具有超低的敏感性，以及具有非常高的晶体管本征工作速度等。这些特性使得FD-SOI能够工作在毫米波频段的应用中。
有关“FD-SOI半导体”的最新话题，搜索69 次
哔哥哔特商务网是电子制造业产业链信息交流的平台，分享和剖析电子制造业上下游新技术、新产品资讯；通过“走进企业”、“对话”、“拆解”、“市场解读”、“产业分析”“研讨会专栏”等栏目进行行业深度解读，及时提供线下专业研讨会、峰会论坛、线上会议、直播等行业活动资讯。
