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英飞凌近日在2013应用电力电子会议暨展览会(APEC)中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS MOSFET器件。该MOSFET 技术拥有最低的单位面积导通阻抗及针对应用优化的品质因数，能达到最高的DC/DC调压系统效率，适用于计算及电信应用
2013年3月27日，北京——英飞凌科技股份公司 (FSE代码：IFX/ OTCQX代码：IFNNY)近日在2013应用电力电子会议暨展览会(APEC)中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。DrBlade包含最新一代低压DC/DC驱动器技术及OptiMOS™ MOSFET器件。该MOSFET 技
英飞凌科技推出其首个专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型(RH)功率MOS器件拥有出类拔萃的性能，可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。该产品融合了英飞凌在高度可靠的晶体管和高效率MOS开关器件领域的技术专长。总部设在欧洲的英飞凌是适用于卫星通信系统的射频二极管和微波晶体管的全球领先供应商。
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列，该系列采用恩智浦的Trench 6技术，具有极低导通电阻(RDSon)、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驱动器 + MOSFET) 器件，这些器件能够提供高效率和高功率密度，可让设计人员满足不同应用的特定设计需求。
华虹NEC的电源管理技术整合了Bipolar、CMOS和DMOS三种器件于一体，融合了MOS器件Bipolar器件和功率MOS器件的优点，被公认是电源及电池保护与控制、DC-DC转换器、电池充电保护以及大功率LED驱动芯片的最佳工艺选择。
在微电子技术基础上发展起来的单片机及其外围器件，使仪表技术进入了一个崭新的智能化时代。此外，半导体工艺的发展使器件普遍地采用CMOS技术，CMOS器件不仅器件的体积越来越小，也为实现低电压、低功耗和功耗管理提供了良好的条件，使便携式仪表的普及成为可能。因此，低功耗的便携式仪表有着很好的发展前景。从使用者的角度来说，希望便携式仪表在大多数情况下都能携带方便，操作简单，无需复杂维护又能长时间可靠地工
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双输出同步降压型DC/DC 控制器 LTC3860，该器件具有多相工作、差分输出电压检测和高频工作 模式。这个控制器可与 Power Block 和 DrMOS、以及分立的 N 沟道 MOSFET 和相关栅极驱动器等外部功率器件组一起运行，从而实现灵活的设计配置。可 对多达 12 相实施并联和异相定时，以最大限度地减
Vishay Siliconix推出新款DrMOS器件
