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飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET，在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。与竞争对手的器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数(FOM)，比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix Powe
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT®封装的P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面积内，这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor) 为手机和手持移动产品设计人员提供一款带有高集成度过电压保护(OVP)和USB/充电器检测功能的器件FAN3988。该器件是飞兆半导体OVP产品系列的最新成员，可让终端用户按照应用所需之特定导通电阻和电流能力，灵活选择外部P沟道MOSFET。
Maxim推出过压保护控制器MAX16914/MAX16915，适用于汽车和工业系统等必须能够承受较高瞬态电压及故障状态的应用。这两款器件采用独特的架构，通过检测2个背靠背p沟道MOSFET的输入和输出电压，提供具有理想二极管特性的过压保护。这2个pFET在正向偏置时的压降远低于传统阻断二极管。发生电池反接故障时，这2个pFET关断，以阻止反向电流。MAX16914/MAX16915非常适合需要过
Maxim推出完全集成的PMIC MAX17113，极大地减小了LCD TV的方案尺寸和成本。该器件集成升压调节器、降压调节器、可调节的正、负电压电荷泵调节器以及p沟道MOSFET开关。
飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体P沟道MOSFET采用1mm x 1.5mm WL-CSP封装
飞兆半导体，业界最低RDS(ON) ，20V MicroFET™，MOSFET 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装的双P沟道MOSFET，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长
飞兆半导体采用CSP封装的P沟道MOSFET提供业界最薄的尺寸 (0.4mm) 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1.5V额定电压PowerTrench®工艺设计，结合先进的WL-C
