Vishay推出网上热仿真工具

2013-02-28 14:22:46 来源:网络 点击:1259

摘要:  日前,Vishay Intertechnology,Inc。推出一个新版本的免费ThermaSim在线热仿真工具为功率MOSFET,microBUCK?电源IC,和DrMOS产品:ThermaSim 3.0。模拟温度曲线的精确分析,最新版本的ThermaSim已得到增强,一些关键功能,如对于功率的模具温度与时间的缩放,并能够定义更多的现实条件下,为提高仿真精度和设计可靠性的同时,简化了用户体验。

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日前,Vishay Intertechnology,Inc。推出一个新版本的免费ThermaSim在线热仿真工具为功率MOSFET,microBUCK?电源IC,和DrMOS产品:ThermaSim 3.0。模拟温度曲线的精确分析,最新版本的ThermaSim已得到增强,一些关键功能,如对于功率的模具温度与时间的缩放,并能够定义更多的现实条件下,为提高仿真精度和设计可靠性的同时,简化了用户体验。

Vishay推出网上热仿真工具

虽然其他热仿真工具提供包级别的平均水平,,ThermaSim是使用有限元分析(FEA)技术,提高了精度。免费的在线工具,尤其适用于高电流,高温度的应用,如汽车,固定电信,台式机和笔记本电脑,以及工业系统。最新的版本是也有严格的设计余量和非钳位感应开关(UIS)和汽车负载突降瞬态工况,包括那些受应用程序的理想选择。

ThermaSim允许Vishay Siliconix功率MOSFET,集成电路和DrMOS之前的原型产品进行详细的热模拟,有助于设计人员缩短产品上市时间。高置信度的设计,ThermaSim 3.0提供了许多新的和改进的功能在几个方面,详情可在http://www.vishay.com/doc?49641,并包括以下内容:

瞬态热模拟能力,(MOSFET唯一的)

设计的可靠性增加,颞变焦(最大1000步)。功耗的模拟数据。这是特别有用的高功率脉冲(kW范围内)与短的持续时间(≥1毫微秒),在多个位置处的时间刻度上的模拟档案。此外,能够定义散热区,在10%,15%,或25%的原始MOSFET裸片面积允许更好的分析的条件,例如低的栅极驱动器和漏极-源极电压尖峰。

改进的用户体验,

为了节省时间,并消除潜在的数据录入错误,ThermaSim 3.0允许用户轻松实现上传功率曲线数据集在Excel?,重复的功率曲线数据集需要多次交换的模拟结果和一份完整的设计其他用户在需要的时候。此外,增强的图形显示工具提供PCB上的元件的方向。

模拟争取“真实世界”的条件,

用户现在可以定义更多的条件,包括铜扩散的顶部和底部的PCB层,焊料厚度,焊接接头质量,空气间隙,胶/隔离厚度,和导线终止或关闭PCB。

高效的模拟

异步重装和Web界面(阿贾克斯),随着啮合分辨率的负载均衡和高,提供更快的。

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