NAND闪存将面临更大降价压力

2006-11-15 09:57:10 来源:半导体器件应用网
 
    分析师警告称,IM Flash Technologies LLC兴建一家新厂的举动,可能延长NAND闪存市场面临价格压力的时间。英特尔和美光日前表示,它们已决定在新加坡兴建其用于生产NAND闪存的第四家晶圆厂。 

    这两家厂商的合资企业-IM Flash Technologies,打算兴建和经营一个NAND闪存晶圆厂,在2008年下半年投产。该厂初期将采用50mm工艺和300mm晶圆。预计该厂将在2007年上半年动工兴建。 

    “英特尔和美光急需上述新加坡工厂的产能,但NAND闪存市场未必需要。”市场调研公司Gartner的分析师Joseph Unsworth表示。“除了巨额投资以外,有大量产能陆续投产。这些投资将继续在未来对价格构成压力。” 

    作为半导体产业中增长最快的芯片领域之一,NAND闪存市场的增长速度可能正在放缓。市场调研公司Gartner日前把2006年NAND闪存销售额预估“砍掉”了15亿美元,并预测2007年形势低迷。Gartner指价格环境疲软,而且苹果电脑公司的iPod新品推出势头乏力。  
 
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