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SiC 等宽禁带 (WBG) 器件对于当今汽车和可再生能源等应用至关重要。随着我们的世界逐渐转向使用可持续能源（主要是电力），能效比以往任何时候都更重要。
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随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。
宽禁带半导体典型代表氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)，第三代半导体相对于传统一、二代半导体其优点更为突出，如禁带宽度大、击穿电场强度强、高化学稳定性、高热导率、抗辐射好等优点，有望成为支撑众多行业发展的重要新材料。
电力电子器件是半导体领域中一个未被重视的部分。 电力电子器件和系统对几乎所有依靠电力运行的设备的运行都至关重要。
近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带（WBG）材料的兴起，即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。
近日，一家晶圆制造商被意法半导体整体收购，根据资料显示，这家晶圆生产商会继续发展150mm碳化硅裸片与外延片生产制造业务产品研发200mm晶圆和更普遍的宽禁带原材料。
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势，有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商。
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。
第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。
