晶体（crystal）是由大量微观物质单位（原子、离子、分子等）按一定规则有序排列的结构，因此可以从结构单位的大小来研究判断排列规则和晶体形态。
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安森美宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)技术业务及其子公司United Silicon Carbide。
训练生成式人工智能（GenAI）神经网络模型通常需要花费数月的时间，数千个基于GPU并包含数十亿个晶体管的处理器、高带宽SDRAM和每秒数太比特的光网络交换机要同时连续运行。虽然人工智能有望带来人类生产力的飞跃，但其运行时能耗巨大，所以导致温室气体的排放也显著增加。
直流-直流（DC-DC）转换器在电动汽车和混合动力汽车中都是必不可少的，用于连接高压电池和低压辅助电路。这包括12V电源的前大灯、车内灯、雨刮和车窗电机、风扇，以及48V电源的泵、转向驱动装置、照明系统、电加热器和空调压缩机。
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新CoolGaN™晶体管700V G4产品系列。
智能电源和智能感知技术的领先企业安森美最新发布第7代1200V QDual3绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块，与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。
2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开， 中国科学院院士金奎娟受邀将出席会议，并带来《光与低维氧化物相互作用研究》的主题报告。
Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
美国加利福尼亚州圣何塞，2024年5月7日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今天宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies(OTCQB场外交易代码：ODII)的资产。
安森美宣布推出采用了新的场截止第7代(FS7)绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术的1200V SPM31智能功率模块(IPM)。与市场上其他领先的解决方案相比，SPM31 IPM能效更高、尺寸更小、功率密度更高，因而总体系统成本更低。
你是否曾想过在微控制器(MCU)驱动应用程序中添加投影显示?想象一下，在家用电器中使用投影显示器来提供易于交互、色彩明艳且功耗更低的界面，同时能够不占用传统LCD或薄膜晶体管那么多的空间。
