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南京华瑞微集成电路有限公司成立于2018年5月，是一家集功率器件产品研发、生产、销售和服务于一体的高新技术企业。已经量产的产品包括高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS，同时正在联合知名高校及研究院所，积极开展下一代新材料(SiC、GaN)功率器件的研发工作。
国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS，器件型号为PXAC203302FV。世强代理的该器件适用于1880-2025MHz频段，可以用于基站多载波射频功率放大器。
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出Toshiba相关于工业电子和消费类电子应用的完整解决方案，其中包括Toshiba采用混合DMOS(BiCD)工艺技术制造的电机驱动器及集高分辨率PPG和高精度模拟控制接口于一体的微控制器等器件。
本文针对全球掀起的数字电视无线发射热潮，对数字电视发射机的发展技术特点趋势进行了较详细地介绍和分析。论述了数字电视发射机中所使用的数字自适应预校正技术、LDMOS技术、N+1技术和发射机的冷却技术等以及使用这些新技术的优势。
L4970A 的内部功能电路主要包括基准电压源，锯齿波发生器，内置40kHz 振荡器，欠压检测与过热保护电路，误差放大器，比较器，PWM锁存器， 或非门， 触发器(由两级或门构成) , 驱动级，DMOS 开关功率管， 限流比较器， 软启动电路，掉电复位电路。
嵌入式非挥发性内存领导厂商力旺电子日前宣布，多次可程序(Multiple Times Programmable， MTP) 嵌入式非挥发性内存NeoEE技术已打入BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺平台，并积极与台系及美系重量级专业液晶显屏电源管理芯片设计公司进行合作，已成功将NeoEE硅智财应用于P-Gamma芯片(可编程伽玛校正缓冲电路芯片)解决方案，且藉由BCD工艺平台，加速促
中国移动日前在其官方网站正式公布了2013年TD-LTE无线主设备的招标公告，此次集采涉及全国31个省市，采购规模约为20.7万个基站，共计55万载扇。与此同时，中移动还启动了2013年首次TD-LTE 4G终端集采，规模为20.65万部。
2013年7月25日，致力于亚太区市场的领先电子元器件分销商---大联大集团宣布，其旗下诠鼎集团推出东芝马达控制整体解决方案。该款马达控制整体解决方案采用混合DMOS(BiCD)工艺技术制成，集高分辨率PPG和高精度模拟控制接口于一体，其电压和电流能力高于现有的Bi-CMOS电机驱动器。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
