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著名的电源半导体技术公司 深圳市锐骏半导体有限公司 最新推出一款MOS封装新工艺。这款TO220-S封装广泛的适用于MOSFET、高压整流器及肖特基等功率器件。
2012年4月5日，德国纽必堡与加州圣何塞——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与飞兆半导体公司(NYSE: FCS)近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF(带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装)——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装(MO-299)——的许可协议。
飞兆半导体公司宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrench®非对称结构功率级双MOSFET模块是飞兆半导体全面广泛的先进MOSFET产品系列的组成部分，为电源设计人员提供了适用于关键任务的高效信息处理设计的全面解决方案。
功率模组通常将MOSFET和二极管等一系列分立功率开关器件封装在一个独立的集成封装内，可应用于三相工业电源、通讯电源系统以及太阳能和风能系统中功率逆变器等高压电力电子应用领域。在传统MOSFET封装技术中，长引线中的寄生电感会限制碳化硅MOSFET的转换性能。通过使用科锐替代型裸芯片，电路设计人员能够充分利用碳化硅技术转换性能的优势，有效地降低封装中寄生电感的影响。
MOSFET封装，节省占板空间，提高充电器性能 Diodes 亚太区技术市场总监梁后权先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。
