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本文主要介绍了晶圆，英特尔是为数不多拥有自己晶圆厂的企业，十年前，英特尔在半导体制程工艺是领先的，后来因为晶圆厂的研发投入太大而无力承担，反被其他晶圆厂超越。
在半导体制程朝20奈米及以下推进之下，晶圆代工厂和半导体制造商家数亦将急速缩减，连带导致半导体设备商和IC设计业者的合作夥伴数量跟着骤减，将导致市场竞争加剧。
锗和三五族元素可有效改善电晶体通道的电子迁移率，提升晶片效能与省电效益，已被视为产业明日之星。
台积电于第11届供应链管理论坛上，除表扬12家优良设备、原料供货商，感谢各供货商在过去1年对台积电的帮助外，并谈到半导体制程进化过程中遇到的挑战，也期待所有供货商未来的支持，与台积电一同携手度过技术与成本上的难关，迎接新的半导体制程世代。
FinFET是一种 3D晶体管技术，目前正初步获得芯片制造商的采用;大厂英特尔(Intel)则是将其3D晶体管技术称为“三闸(tri-gate)”，业界预计该公司将在今年底推出采用3D晶体管技术所生产的22nm芯片样品。
台积电(TSMC)与中国台湾的国立台湾大学日前共同发表产学合作成果，成功研发出全球第一颗以40纳米制程生产之自由视角(any-angle)3D电视机顶盒芯片，可望较现行技术提供更精致、多元的视频影像体验。此项成果为视频处理及半导体制程技术在3D领域的重大突破，该芯片也将在二月下旬于国际固态电路研讨会上(ISSCC)正式发布。
半导体记忆体可区分动态内存（DRAM）以及非挥发性内存（Non-Volatile Memory）两大类别，两者差别在于当外界电力消失时，所记忆的数据，前者会消失，而后者则是保存。DRAM一直是半导体技术进步的主要动力，人类为了追求高密度的内存，因此不断的将组件尺寸缩小，导致半导体制程技术的不断精进。近年来手机的流行，搭配数字相机价格的大众化，导致记忆卡的需求大幅上升，而非挥发性内存的需求量也逐年攀
近日，财团法人国家实验研究院国家奈米组件实验室成功开发出9奈米的超节能内存数组晶胞，不仅容量较闪存增加了20倍，同时也降低了两百倍的功耗，也就是说，500G尽尽1平方公分大小，是目前全球最迷你的尺寸。半导体制程再告前进一里！
英飞凌科技股份公司今日宣布，该公司及其子公司英飞凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美国国际贸易委员会（ITC）递交起诉书，称尔必达（Elpida Memory Inc.）制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和元件制造方面四项重要发明专利，涉嫌不公平贸易。
