半导体碳化硅（SiC）是一种由碳元素和硅元素组成的化合物半导体材料。它具有高热导率、高禁带宽度、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等特性，这些特性使得碳化硅半导体器件在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。 碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，导热率为硅的4~5倍，击穿电压为硅的8~10倍，电子饱和漂移速率为硅的2~3倍。这些特性使得碳化硅器件能够满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求。碳化硅器件还具有耐高温、耐高压、开关速度快、效率高等特点，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。
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