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2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开， 中国科学院院士金奎娟受邀将出席会议，并带来《光与低维氧化物相互作用研究》的主题报告。
近年来半导体材料（WBG）─氮化镓、碳化硅等新一代半导体材料应运而生，氮化镓应用的逐步扩大，规模化效应会逐步凸显，渗透率会加速上升，引发了多家厂商对氮化镓的关注。
美国英特尔等半导体巨头将采用生产成本可降低一半的新一代半导体技术。最早将于2017年将半导体材料晶圆的直径扩大至目前的1.5倍，把半导体芯片的生产效率提高1倍。这是英特尔时隔15年前再次加大晶圆尺寸。
有一种新开发的半导体材料辉钼矿(molybdenite，MoS2)，其功耗据说仅有硅材料的十万分之一，又能用以制作出尺寸更小的晶体管。瑞士洛桑理工学院(Ecole Polytechnique Federale de Lausanne，EPGL)的研究人员并指出，这种新一代半导体材料具备能隙(bandgap)的特性也打败石墨烯(graphene)。
