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意法半导体、Microchip、英飞凌、PI等全球半导体头部厂商发布新品，包括MCU、电容式触摸控制器、三相栅极驱动器和开关IC。
最近一周，多家半导体大厂发布新品，其中英飞凌推出了D²PAK和DPAK封装的 TRENCHSTOP™的IGBT7系列器件，兆易创新、极海半导体等也在MCU、电机控制专用栅极驱动器等领域取得产品最新进展。
东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，开始提供适用于3相直流无刷电机的栅极驱动[1]IC——“TB9084FTG”的工程样品。
Littelfuse公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。
Littelfuse公司荣幸地宣布推出IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器。这些栅极驱动器专为驱动MOSFET而设计，通过增加其余两个逻辑输入版本完善了现有的IX434x驱动器系列。
Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司针对要求严苛的24/48 V市场推出适用于无刷直流电机的MOTIX™ TLE9140EQW栅级驱动器IC。
为进一步满足消费电子和工业设备的电源提出的更高节能要求，以实现社会的可持续发展，罗姆开发出集650V GaN HEMT和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。
牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件，功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此，为了构建下一代牵引逆变器系统，业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。
像许多电子领域一样，进步持续发生。目前，在 3.3 kW 开关电源 (SMPS) 中，产品效率高达 98%，1U结构尺寸，其功率密度可达 100 W/in³。
