第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。
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第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA2024)在苏州召开。
11月18-21日,第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA2024)、先进半导体技术应用创新展(CASTAS)将在苏州国际博览中心G馆举办,开幕大会日程重磅出炉。
11月18-21日,第十届国际第三代半导体论坛(IFWS2024)&第二十一届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2024)、先进半导体技术应用创新展(CASTAS)将在苏州国际博览中心举办。半导体材料学家,中国科学院院士杨德仁将出席论坛,并将带来“半导体材料产业的现状和挑战”的大会报告。
中科重仪半导体科技有限公司(简称“中科重仪”)作为第三代半导体氮化镓(GaN)材料生产与技术应用的国家级高新技术企业,将携多款MOCVD设备及氮化镓外延片产品亮相此次展会。
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,具有宽禁带的特性,从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
今年,国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛于11月18-21日在苏州国际博览中心举办,同台汇力,相映生辉,放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。
由半导体产业网、第三代半导体产业、慕尼黑展览(上海)有限公司共同主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办,芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司协办的“2024第三代半导体技术与产业链创新发展论坛”,将于7月8-9日在上海新国际博览中心举办。
告别漫长充电等待,800V超充技术革新升级!在2024'中国电子热点解决方案创新峰会上,英博尔电驱CTO刘宏鑫、纳微半导体技术营销经理肖开祥和致茂电子资深经理朱明星,就800超充技术的充电桩、车载电源及第三代半导体材料的应用等问题表达了自己的看法。
近年来,我国信息技术得到迅猛发展,第三代半导体作为其中的关键器件起着重要作用。
第三代半导体在新能源汽车电驱系统中的渗透率情况是怎样的?特邀嘉宾为您解答!