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Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器件，体积较同类器件纤薄50%。
Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管，有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装，以供顾客选择。
