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国际整流器(IR) 宣布推出IR3847大电流负载点 (POL) 稳压器，该产品可将采用纤巧的5x6 mm封装的IR第三代SupIRBuck系列的额定电流扩大至25A。
据最新消息，飞思卡尔发布了业界超小型32位MCU KL02，该产品仅为1.9mm*2.0mm封装面积，采用Chip-Scale晶圆级封装技术。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix Powe
Analog Devices， Inc.，最近推出双通道、高性能14位、125 MSPS模数转换器AD9645，其总功耗比竞争解决方案低22%。除了高速、宽动态范围、低功耗、高性价比和功能灵活等特性之外，AD9645 ADC采用5 mm × 5 mm封装，所占面积比最有力竞争产品还节省30%。新款转换器满足最新的3G和4G多标准蜂窝通信基础设施，如CDMA2000、WB-CDMA、LTE、TD-S
Intersil公司宣布，今天推出一款节省空间和通过了AEC-Q100认证的双通道同步降压直流/直流稳压器---ISL78228，其2.25MHz的开关频率有助于将产品尺寸降到最小化。ISL78228双通道降压直流/直流稳压器提供两个独立的800mA输出。其3mm x 3mm封装和2.25MHz开关频率支持非常高密度的电源解决方案设计，以满足许多空间受限制的汽车及工业应用的要求。
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装，为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了超紧凑、高密度和高效率的解决方案。
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其封装系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术，为一系列的低功耗应用，包括智能手
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驱动器 + MOSFET) 器件，这些器件能够提供高效率和高功率密度，可让设计人员满足不同应用的特定设计需求。
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有更高的最大电流并提高效率。SiZ710DT在一个小尺寸封装中整合了低边和高边MOSFET，具有
