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1983年时任三星会长的李秉喆发表“我想以我们民族特有的强韧精神和创造力为基础来推进半导体事业”的“东京宣言”。在初期，因日本企业的牵制和缺乏半导体技术而困难重重，但1994年(三星)世界首次开发出245兆位(Mb)D-RAM后，迄今为止仍保持着存储器(memory)半导体业界第一的地位。
韩国业界8日消息，三星电子将从下半年起扩大车载半导体事业。车载半导体最近需求开始上升。据悉，三星首先计划将目前集中于DRAM车载半导体的事业范围扩大到存储设备。
日本第二大半导体厂商瑞萨电子(Renesas Electronics)因微控制器(Micro Controller Unit;MCU)、模拟/功率组件(Analog&Power;A&P)与系统单芯片(System on Chip;SoC)三大产品线第4季营收均较第3季下滑，致其半导体事业营收较第3季衰退13.7%。
日本媒体报导，全球第2大NAND型快闪记忆体(FlashMemory)厂商东芝(Toshiba)于21日宣布，因半导体需求回温，故旗下日本半导体工厂将于今年年末的元旦假期期间加班赶工。东芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半导体工厂今年将不停工持续进行生产;大分工厂今年元旦假期期间的停工天数则将自去年的6天减半至3天。
美国道琼社引述韩国「京乡新闻19日报导，韩国三星电子计划明年将半导体事业的投资支出砍半，从134亿美元降至70亿美元，提前预告明年的存储器市况持续走低。
三星电子半导体事业暨装置解决方案事业社长权五铉昨(29)日表示，半导体产业能见度低，明年成长幅度「不会太高」，DRAM业更是「非常困难」，仅储存型快闪存储器(NAND Flash)等智能手机或行动应用领域产品具有高成长性。
即将领导三星电子公司新零组件制造事业的主管、也是三星半导体事业总裁的权五铉看淡面板和半导体景气，认为下半年形势会比上半年更险峻。
三星电子每年都会在台湾举办三星移动解决方案年度论坛。在去年的论坛中，三星半导体事业部社长权五铉就指出，三星希望积极提升在晶圆代工市场的竞争力。并表示，在技术上，三星的45纳米及32纳米已经量产，2011年将导入28纳米高介电金属闸极(HKMG)技术。三星因代工产能及市占率仍小，公司主要集中聚焦在低功耗及应用处理器市场上。
中芯国际的内斗，从正面解读，就是中国半导体仍大有可为，以半导体领军的先进制造业仍被视为一块「肥肉」，为各派人马所竞逐;但另一方面，好不容易积弱的中芯国际终于有能力转亏为盈，中国自主研发的半导体事业终于露出一线曙光，此时又因人事之间的内耗而蒙尘。未来大陆半导体事业要在国际立足，甚至短期内超越台湾，似乎仍有一段坎坷路。
近日，美商美高森美公司（Microsemi Corporation）宣布，该公司和新力公司（Sony）半导体事业群联合发布了一款具 3D功能的时序控制器以及局部调光 LED 背光解决方案，适用于制造低成本、高产量的下一代 LCD TV
