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功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚，分别为栅极(Gate)，漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。
华大MCU提供优秀的芯片设计方案。
从1962年物理学家 Felix Zandman博士发明第一颗箔电阻起，时间已经过去快六十年，Bulk Metal® Foil箔电阻科技在要求高精度，高稳定性，和高可靠性的应用方面仍然远远超越其他电阻科技，威士精密测量集团提供多种规格和包装的精密箔电阻产品，以满足各种应用需求。
联华电子(UMC，TWSE: 2303)与 ASIC 设计服务暨 IP 研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation，TWSE：3035)今日共同发表智原科技于联电28奈米 HPC U 工艺 的可编程12.5Gbps SerDes PHY IP 方案。此次智原成功推出的 SerDes PHY，为联电28奈米 High-K / Metal Gate 后闸极技术 工艺 平台中一系列高速 I/O 解决方案的第一步。
晶门科技今天宣布推出 SSD2080M液晶显示屏驱动器，能支持高清金属氧化物 (Metal Oxide) 面板技术，是高清智能手机应用的理想解决方案。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 3 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出在1020小外形尺寸内采用宽边接头结构实现2W高功率等级的新款表面贴装Power Metal Strip®电阻---WSL1020。该器件具有高功率小体积和0.003Ω的极低阻值，以及0.5%的稳定电阻公差。
市场研究机构 Yole Developpement 推出超接面金氧半场效电晶体(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，SJ MOSFET)的市场更新报告，深度剖析高压(400伏特以上) SJ MOSFET 市场指标与预测、深沟式(Deep trench)与多磊晶(multi-epi)技术的差异以及新兴业者的
日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出2010外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip®电阻---WSLP2010。该电阻具有2W的高功率等级和0.001Ω的极低阻值，以及0.5%的稳定电阻容差。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用带有4脚连接器的新款模塑外壳Power Metal Strip®电池分流电阻--- WSBM8518。该器件使分流电阻到PCB的组装过程变得十分简单，让设计者专注开发电路，不必考虑PCB连接问题。
DuoSense®电子笔和多点触控用户界面提供商N-trig日前宣布，该公司已联手触控技术行业，为针对电子笔和多点触控输入的金属网格(metal mesh)传感器和其他替代技术的开发提供支持。
